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Nous vous proposons une sélection de 160 produits pouvant correspondre à votre recherche de "7-00-HC49" (Transistors FET et MOSFET canal N)

STW5NB90

STW5NB90

Transistor canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1250pF. C (out): 128pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Alimentations à découpage (SMPS). Id(imp): 22.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 700 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.43€
Quantité en stock: 34
2SK1117

2SK1117

Transistor canal N 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.77€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
FCP11N60

FCP11N60

Transistor canal N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.78€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
IRF2903ZS

IRF2903ZS

Transistor canal N IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6320pF. C (out): 1980pF. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.88€
Quantité en stock: 7
IRLD024

IRLD024

Transistor canal N IRLD024, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 870pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Divers: Dynamic dv/dt Rating. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.32€
Quantité en stock: 7
IXTH5N100A

IXTH5N100A

Transistor canal N IXTH5N100A, TO-247AD, 1 kV. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXTH5N100A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

21.90€
Quantité en stock: 7
P30N03A

P30N03A

Transistor canal N P30N03A, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. Id (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (maxi): 30A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. C (in): 860pF. C (out): 450pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Id(imp): 60.4k Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.50€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
SKM400GB126D

SKM400GB126D

Transistor canal N SKM400GB126D, 330A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 23.1pF. C (out): 1.9pF. Courant de collecteur: 470A. Dimensions: 106.4x61.4x30.5mm. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Fonction: IGBT haute puissance. Ic(puls): 600A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

351.80€
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Quantité en stock: 7
2N7002-7-F

2N7002-7-F

Transistor canal N 2N7002-7-F, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.210A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.37W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.6 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: K72. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 2.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

0.14€
Quantité en stock: 3558
Minimum: 5
2SK1461

2SK1461

Transistor canal N 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 2.8 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3BP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K1461. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.81€
Quantité en stock: 25
BSS138-7-F

BSS138-7-F

Transistor canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Id (T=25°C): 0.2A. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Id(imp): 1A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Poids: 0.008g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. RoHS: oui. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V...

0.0583€
Quantité en stock: 2392
Minimum: 10
BUZ77B

BUZ77B

Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

1.99€
Quantité en stock: 6
IRF3415

IRF3415

Transistor canal N IRF3415, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 43A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2400pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.10€
Quantité en stock: 48
IRF7341

IRF7341

Transistor canal N IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier: SO8. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4.7A. Information: -. MSL: -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension d'entraînement: -. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: SMD. Unité de conditionnement: 95...

0.94€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 242
IRF830

IRF830

Transistor canal N IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Charge: 38nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 4.5A, 2.9A. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 74W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 1.5 Ohms. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.26€
Quantité en stock: 18
IRFL024N

IRFL024N

Transistor canal N IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 2.8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. C (in): 400pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Equivalences: IRFL024NPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 11.2A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.75€
Quantité en stock: 179
IRFP260PBF

IRFP260PBF

Transistor canal N IRFP260PBF, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP260PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

10.06€
Quantité en stock: 97
IRLR024N

IRLR024N

Transistor canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 5V. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Equivalences: IRLR024NPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

0.75€
Quantité en stock: 163
IXTH96N20P

IXTH96N20P

Transistor canal N IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 24m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4800pF. C (out): 1020pF. Dissipation de puissance maxi: 600W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 160 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.5V...

12.37€
Quantité en stock: 5
STP14NK50ZFP

STP14NK50ZFP

Transistor canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: protection par diode Zéner. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NK50ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

3.53€
Quantité en stock: 79
STP62NS04Z

STP62NS04Z

Transistor canal N STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (maxi): 62A. Résistance passante Rds On: 12.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 33V. C (in): 1330pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: entièrement protégé. Id(imp): 248A. Marquage sur le boîtier: P62NS04Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

3.04€
Quantité en stock: 5
2SK2417

2SK2417

Transistor canal N 2SK2417, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 7.5A. Résistance passante Rds On: 0.42 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor à effet de champ. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.05€
Quantité en stock: 99