Transistor canal N IXTH5N100A, TO-247AD, 1 kV

Transistor canal N IXTH5N100A, TO-247AD, 1 kV

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Transistor canal N IXTH5N100A, TO-247AD, 1 kV. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXTH5N100A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXTH5N100A
16 paramètres
Boîtier
TO-247AD
Tension drain-source Uds [V]
1 kV
Capacité de grille Ciss [pF]
2600pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
5A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
2 Ohms @ 2.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
180W
Délai de coupure tf[nsec.]
200 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IXTH5N100A
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
100 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4.5V
Produit d'origine constructeur
IXYS