Transistor canal N IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier: SO8. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4.7A. Information: -. MSL: -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension d'entraînement: -. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: SMD. Unité de conditionnement: 95. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27