Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V
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Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Siemens. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19