Transistor canal N IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V

Transistor canal N IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
12.21€
5-9
11.30€
10-19
10.63€
20+
9.97€
Quantité en stock: 5

Transistor canal N IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 24m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4800pF. C (out): 1020pF. Dissipation de puissance maxi: 600W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 160 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.5V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXTH96N20P
29 paramètres
Id (T=100°C)
75A
Id (T=25°C)
96A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
24m Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension Vds(max)
200V
C (in)
4800pF
C (out)
1020pF
Dissipation de puissance maxi
600W
Fonction
N-Channel Enhancement Mode
Id(imp)
225A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
75 ns
Td(on)
28 ns
Technologie
PolarHT Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
160 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2.5V
Produit d'origine constructeur
IXYS