Transistor canal N SKM400GB126D, 330A, autre, autre, 1200V

Transistor canal N SKM400GB126D, 330A, autre, autre, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-3
347.27€
4-7
331.45€
8-19
319.71€
20-49
309.81€
50+
294.54€
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Transistor canal N SKM400GB126D, 330A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 23.1pF. C (out): 1.9pF. Courant de collecteur: 470A. Dimensions: 106.4x61.4x30.5mm. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Fonction: IGBT haute puissance. Ic(puls): 600A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Semikron. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14

SKM400GB126D
26 paramètres
Ic(T=100°C)
330A
Boîtier
autre
Boîtier (selon fiche technique)
autre
Tension collecteur/émetteur Vceo
1200V
C (in)
23.1pF
C (out)
1.9pF
Courant de collecteur
470A
Dimensions
106.4x61.4x30.5mm
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Fonction
IGBT haute puissance
Ic(puls)
600A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
7
RoHS
oui
Spec info
IFSM--2200Ap (t=10ms)
Td(off)
650 ns
Td(on)
330 ns
Température de fonctionnement
-40...+125°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.7V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2.15V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
5V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
6.5V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
Semikron