Transistor canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Transistor canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.38€
5-9
3.87€
10-24
3.42€
25+
3.17€
Quantité en stock: 34

Transistor canal N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1250pF. C (out): 128pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Alimentations à découpage (SMPS). Id(imp): 22.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 700 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51

Documentation technique (PDF)
STW5NB90
30 paramètres
Id (T=100°C)
3.3A
Id (T=25°C)
5.6A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
2.3 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension Vds(max)
900V
C (in)
1250pF
C (out)
128pF
Dissipation de puissance maxi
160W
Fonction
Alimentations à découpage (SMPS)
Id(imp)
22.4A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
13 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
PowerMESH MOSFET
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
700 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics