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BSS126H6327

Transistor canal N BSS126H6327, SOT-23, 600V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 28pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.021A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SHS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.7V...

0.65€

Quantité en stock: 2100

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BSS131

Transistor canal N BSS131, SOT-23, 240V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Capacité de grille Ciss [pF]: 77pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SRs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

0.24€

Quantité en stock: 12786

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BSS138

Transistor canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 0.22A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 27pF. C (out): 13pF. Courant de drain: 220mA. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Id(imp): 0.88A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 360mW. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. RoHS: oui. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V...

0.0883€

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Quantité en stock: 274

Minimum: 10

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BSS138-7-F

Transistor canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Id (T=25°C): 0.2A. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Id(imp): 1A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Poids: 0.008g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. RoHS: oui. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V...

0.0583€

Quantité en stock: 2392

Minimum: 10

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BSS138-SS

Transistor canal N BSS138-SS, SOT-23, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 27pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 200mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 36ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.21€

Quantité en stock: 23470

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BSS138LT1G-J1

Transistor canal N BSS138LT1G-J1, SOT-23, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: J1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V...

0.29€

Quantité en stock: 38351

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BSS139H6327

Transistor canal N BSS139H6327, SOT-23, TO-236AB, 250V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 76pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.03A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: STs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.4V...

1.18€

Quantité en stock: 6000

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BSS670S2LH6327XTSA1

Transistor canal N BSS670S2LH6327XTSA1, SOT-23, 55V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.54A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V...

0.74€

Quantité en stock: 16500

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BST72A

Transistor canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SOT54. Tension Vds(max): 100V. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Fonction: Very fast switching, Logic level compatible. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 0.01uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Température: +150°C. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.64€

Quantité en stock: 14

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BST82

Transistor canal N BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=100°C): 0.12A. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Fonction: Commutation très rapide. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 0.01uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Compatible avec le niveau logique. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V...

0.22€

Quantité en stock: 86

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BST82-215

Transistor canal N BST82-215, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de drain: 0.19A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 0.83W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10 Ohms. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

0.85€

Quantité en stock: 25

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BTS132

Transistor canal N BTS132, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS132. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

14.21€

Quantité en stock: 89

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BTS3205G

Transistor canal N BTS3205G, SO8, 42V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Famille de composants: low-side MOSFET. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

2.95€

Quantité en stock: 95

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BTS3205N

Transistor canal N BTS3205N, SOT-223, 42V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Famille de composants: low-side MOSFET. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

2.95€

Quantité en stock: 223

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BTS4141N

Transistor canal N BTS4141N, SOT-223, 45V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 45V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 150us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS4141N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

7.49€

Quantité en stock: 937

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BTS432E2E3062A

Transistor canal N BTS432E2E3062A, D²-PAK/5, TO-263, 42V. Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS432E2-SMD. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

33.74€

Quantité en stock: 882

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BTS50010-1TAE

Transistor canal N BTS50010-1TAE, D²-PAK/7, TO-263, 18V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 18V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: S50010E. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

28.12€

Quantité en stock: 80

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BTS5210LAUMA1

Transistor canal N BTS5210LAUMA1, P-DSO-12, 40V. Boîtier: P-DSO-12. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS5210L. Nombre de bornes: 12. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 250us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

11.84€

Quantité en stock: 102

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BTS5215LAUMA1

Transistor canal N BTS5215LAUMA1, P-DSO-12, 40V. Boîtier: P-DSO-12. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS5215L. Nombre de bornes: 12. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 250us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

9.47€

Quantité en stock: 78

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BTS611L1E

Transistor canal N BTS611L1E, D²-PAK/7, TO-263, 34V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS611L1. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

7.69€

Quantité en stock: 524

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BTS6142D

Transistor canal N BTS6142D, D-PAK/5, TO-252, 38V. Boîtier: D-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 38V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 600us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS6142D. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

8.35€

Quantité en stock: 3

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BTS721L1

Transistor canal N BTS721L1, P-DSO-20, 34V. Boîtier: P-DSO-20. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS721L1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

33.74€

Quantité en stock: 14

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BUK100-50GL

Transistor canal N BUK100-50GL, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Niveau logique. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.20€

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BUK455-600B

Transistor canal N BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 750pF. C (out): 90pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2.1V...

4.65€

Equivalence disponible
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