Transistor canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Transistor canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.62€
5-49
1.47€
50-99
1.38€
100+
1.29€
Quantité en stock: 14

Transistor canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SOT54. Tension Vds(max): 100V. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Fonction: Very fast switching, Logic level compatible. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 0.01uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Température: +150°C. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
BST72A
25 paramètres
Id (T=25°C)
0.19A
Idss (maxi)
1uA
Résistance passante Rds On
5 Ohms
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
SOT54
Tension Vds(max)
100V
C (in)
25pF
C (out)
8.5pF
Dissipation de puissance maxi
0.83W
Fonction
Very fast switching, Logic level compatible
Id(imp)
0.8A
Idss (min)
0.01uA
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
12 ns
Td(on)
3 ns
Technologie
Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.
Température
+150°C
Trr Diode (Min.)
30 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors