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MMF60R360PTH

MMF60R360PTH

Transistor canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6.95A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 890pF. C (out): 670pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: étages d'alimentation PFC, applications de commutation, commande de moteur, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 33A. Marquage sur le boîtier: 60R360P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 375 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.59€
Quantité en stock: 34
MMFTN138

MMFTN138

Transistor canal N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Vdss (tension drain à source): 50V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.22A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: JD. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température de fonctionnement: 150°C. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Type de montage: SMD. Vgs(th) (Max) @ Id: -...

0.16€
Quantité en stock: 1783
MTP3055VL

MTP3055VL

Transistor canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 410pF. C (out): 114pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 45A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor à commande de porte par niveau logique. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 55.7 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.44€
Quantité en stock: 16
MTW45N10E

MTW45N10E

Transistor canal N MTW45N10E, TO-247AE, 100V. Boîtier: TO-247AE. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MTW45N10E. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.14€
Quantité en stock: 34
MTY100N10E

MTY100N10E

Transistor canal N MTY100N10E, TO-264, 100V. Boîtier: TO-264. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

17.75€
Quantité en stock: 116
NDB6030L

NDB6030L

Transistor canal N NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.55€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 65
NDP603AL

NDP603AL

Transistor canal N NDP603AL, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 100A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.23€
Quantité en stock: 54
NDP7060

NDP7060

Transistor canal N NDP7060, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2960pF. C (out): 1130pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Id(imp): 225A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 54 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.18€
Quantité en stock: 73
NDS355AN

NDS355AN

Transistor canal N NDS355AN, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Charge: 5nC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Courant de drain: 1.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, logic level...

1.10€
+5 rapidement
Quantité en stock: 3047
NP82N055PUG

NP82N055PUG

Transistor canal N NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 4.1m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): MP-25ZP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 6400pF. C (out): 465pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 142W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 82N055. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Transistor MOSFET. Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 900. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.66€
Quantité en stock: 38
NTD20N06L

NTD20N06L

Transistor canal N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 707pF. C (out): 224pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 20N6LG. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.71€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 65
NTD20N06LT4G

NTD20N06LT4G

Transistor canal N NTD20N06LT4G, D-PAK, TO-252, 60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 20N06LG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.95€
Quantité en stock: 4622
NTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G

Transistor canal N NTD3055-094T4G, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.084 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 55094G. RoHS: oui. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.02€
Quantité en stock: 60
NTD3055-150T4G

NTD3055-150T4G

Transistor canal N NTD3055-150T4G, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.122 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 29W. Fonction: ID pulse 27A/10us. Id(imp): 27A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 3150G. RoHS: oui. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.86€
Quantité en stock: 38
NTD3055L104-1G

NTD3055L104-1G

Transistor canal N NTD3055L104-1G, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.089 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: niveau logique, ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 55L104G. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.85€
Quantité en stock: 46
NTD3055L104G

NTD3055L104G

Transistor canal N NTD3055L104G, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.089 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 316pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: niveau logique, ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: 55L104G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 55L104G. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.06€
+632 rapidement
Quantité en stock: 149
NTD3055L104T4G

NTD3055L104T4G

Transistor canal N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 55L104G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.84€
Quantité en stock: 807
NTD4804NT4G

NTD4804NT4G

Transistor canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 96A. Id (T=25°C): 124A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4490pF. C (out): 952pF. Dissipation de puissance maxi: 107W. Id(imp): 230A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4804NG. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4804NG. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 230A. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

1.84€
Quantité en stock: 32
NTGS3446

NTGS3446

Transistor canal N NTGS3446, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 510pF. C (out): 200pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: applications de batterie lithium-ion, ordinateur portable. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 446. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 35 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) min.: 0.6V...

4.10€
Produit obsolète
En rupture de stock
NTHL020N090SC1

NTHL020N090SC1

Transistor canal N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 118A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3L, CASE 340CX. Tension Vds(max): 900V. C (in): 4416pF. C (out): 296pF. Dissipation de puissance maxi: 503W. Fonction: UPS, convertisseur DC/DC, onduleur Boost. Id(imp): 472A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 19V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

51.29€
Quantité en stock: 6
NTMFS4744NT1G

NTMFS4744NT1G

Transistor canal N NTMFS4744NT1G, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: ID pulse 108A/10ms. Id(imp): 108A. Marquage sur le boîtier: 4744N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4744N. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.11€
Quantité en stock: 13