Transistor canal N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V

Transistor canal N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V

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Transistor canal N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Vdss (tension drain à source): 50V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.22A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: JD. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température de fonctionnement: 150°C. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Type de montage: SMD. Vgs(th) (Max) @ Id: -. Produit d'origine constructeur: Diotec. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
MMFTN138
23 paramètres
Boîtier
SOT-23
Vdss (tension drain à source)
50V
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236AB
Tension drain-source Uds [V]
50V
Capacité de grille Ciss [pF]
60pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.22A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
6 Ohms @ 0.22A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.36W
Délai de coupure tf[nsec.]
16 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
0.22A
Marquage du fabricant
JD
Nombre de bornes
3
Polarité
MOSFET N
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8 ns
Température de fonctionnement
150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
1.6V
Tension grille/source Vgs (Max)
±20V
Type de montage
SMD
Produit d'origine constructeur
Diotec