Transistor canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.42€
5-24
1.18€
25-49
1.01€
50+
0.94€
Quantité en stock: 16

Transistor canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 410pF. C (out): 114pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 45A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor à commande de porte par niveau logique. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 55.7 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
MTP3055VL
33 paramètres
Id (T=100°C)
8A
Id (T=25°C)
12A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.10 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
60V
C (in)
410pF
C (out)
114pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
48W
Fonction
Commutation à haute vitesse
Id(imp)
45A
Idss (min)
10uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor à commande de porte par niveau logique
Td(off)
14 ns
Td(on)
9 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
15V
Trr Diode (Min.)
55.7 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor