Transistor canal N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V

Transistor canal N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V

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Transistor canal N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 55L104G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
NTD3055L104T4G
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
60V
Capacité de grille Ciss [pF]
440pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
12A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.104 Ohms @ 6A
Dissipation maximale Ptot [W]
48W
Délai de coupure tf[nsec.]
40 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
55L104G
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2V
Produit d'origine constructeur
Onsemi