Transistor canal N NDS355AN, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Charge: 5nC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Courant de drain: 1.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, logic level. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14