Transistor canal N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V

Transistor canal N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
50.63€
5-9
47.63€
10-14
45.78€
15-29
44.41€
30+
41.85€
Quantité en stock: 6

Transistor canal N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 118A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3L, CASE 340CX. Tension Vds(max): 900V. C (in): 4416pF. C (out): 296pF. Dissipation de puissance maxi: 503W. Fonction: UPS, convertisseur DC/DC, onduleur Boost. Id(imp): 472A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 19V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
NTHL020N090SC1
30 paramètres
Id (T=100°C)
83A
Id (T=25°C)
118A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.02 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247-3L, CASE 340CX
Tension Vds(max)
900V
C (in)
4416pF
C (out)
296pF
Dissipation de puissance maxi
503W
Fonction
UPS, convertisseur DC/DC, onduleur Boost
Id(imp)
472A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Spec info
IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm
Td(off)
55 ns
Td(on)
40 ns
Technologie
MOSFET – SiC Power, Single N-Channel
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
19V
Trr Diode (Min.)
28 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor