Transistor canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.53€
5-9
4.06€
10-24
3.76€
25-49
3.54€
50+
3.21€
Quantité en stock: 34

Transistor canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6.95A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 890pF. C (out): 670pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: étages d'alimentation PFC, applications de commutation, commande de moteur, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 33A. Marquage sur le boîtier: 60R360P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 375 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Magnachip Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
MMF60R360PTH
30 paramètres
Id (T=100°C)
6.95A
Id (T=25°C)
11A
Idss (maxi)
1uA
Résistance passante Rds On
0.32 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
600V
C (in)
890pF
C (out)
670pF
Dissipation de puissance maxi
31W
Fonction
étages d'alimentation PFC, applications de commutation, commande de moteur, convertisseurs DC/DC
Id(imp)
33A
Marquage sur le boîtier
60R360P
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
80 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
N-channel POWER MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
375 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Magnachip Semiconductor