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IRG4PC40FDPBF

Transistor canal N IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2200pF. C (out): 140pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 200A. Courant de collecteur Ic [A]: 49A. Courant de collecteur: 49A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 230 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Ic(puls): 84A. Marquage du fabricant: IRG4PC40FD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 230 ns. Td(on): 63 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 63 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N...

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IRGP4068D

Transistor canal N IRGP4068D, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 3025pF. C (out): 245pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 90A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Ic(puls): 144A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

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IRGP4086

Transistor canal N IRGP4086, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 2250pF. C (out): 110pF. Courant de collecteur: 70A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Ic(puls): 250A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 112 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -40...+140°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.29V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.57V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

6.79€

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IXFH32N50

Transistor canal N IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5700pF. C (out): 750pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 360W. Id(imp): 128A. Idss (min): 200uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IXFR120N20P

Transistor canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. Id (T=25°C): 105A. Idss (maxi): 2uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 9100pF. C (out): 2200pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 400W. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 480A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

16.07€

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IXGR60N60C3D1

Transistor canal N IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2113pF. C (out): 197pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 75A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 268W. Fonction: IGBT avec diode de récupération ultra-rapide. Ic(puls): 260A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Remarque: isolation 2500V (50/60Hz RMS, t=1minute). RoHS: oui. Td(off): 127 ns. Td(on): 43 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

11.87€

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IXTA36N30P

Transistor canal N IXTA36N30P, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.092 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263AB ). Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V...

7.37€

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IXTP36N30P

Transistor canal N IXTP36N30P, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V...

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IXTP50N25T

Transistor canal N IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 92 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 4000pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

10.59€

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IXTP90N055T

Transistor canal N IXTP90N055T, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.066 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 176W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.06€

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IXTP90N055T2

Transistor canal N IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2770pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.94€

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IXTQ36N30P

Transistor canal N IXTQ36N30P, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V...

8.93€

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IXTQ460P2

Transistor canal N IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 270 milliOhms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2890pF. C (out): 280pF. Dissipation de puissance maxi: 480W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

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MBQ60T65PES

Transistor canal N MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 100A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 535W. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: 60T65PES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

8.20€

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MDF11N60TH

Transistor canal N MDF11N60TH, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1700pF. C (out): 184pF. Dissipation de puissance maxi: 49W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.80€

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MDF11N65B

Transistor canal N MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1650pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 49.6W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.08€

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MDF9N50TH

Transistor canal N MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 272 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.09€

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MDF9N60TH

Transistor canal N MDF9N60TH, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1160pF. C (out): 134pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: MDF9N60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 360ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.39€

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MMF60R360PTH

Transistor canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6.95A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 890pF. C (out): 670pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: étages d'alimentation PFC, applications de commutation, commande de moteur, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 33A. Marquage sur le boîtier: 60R360P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 375 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.59€

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NP82N055PUG

Transistor canal N NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 4.1m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): MP-25ZP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 6400pF. C (out): 465pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 142W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 82N055. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Transistor MOSFET. Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 900. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.66€

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NTHL020N090SC1

Transistor canal N NTHL020N090SC1, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 118A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3L, CASE 340CX. Tension Vds(max): 900V. C (in): 4416pF. C (out): 296pF. Dissipation de puissance maxi: 503W. Fonction: UPS, convertisseur DC/DC, onduleur Boost. Id(imp): 472A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 19V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

51.29€

Quantité en stock: 6

RJH3047DPK

Transistor canal N RJH3047DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Courant de collecteur: 35A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Ic(puls): 250A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: trr 0.1us. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de canal: N...

16.43€

Quantité en stock: 13

RJH3077DPK

Transistor canal N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Courant de collecteur: 35A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: -. Dissipation de puissance maxi: 60W. Ic(puls): 250A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: trr 0.06us. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de canal: N...

15.53€

Quantité en stock: 23

RJH30H2DPK-M0

Transistor canal N RJH30H2DPK-M0, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 1200pF. C (out): 80pF. Compatibilité: Samsung PS42C450B1WXXU. Courant de collecteur: 35A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Ic(puls): 250A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: trr 0.06us. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de canal: N...

14.23€

Quantité en stock: 48

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