Transistor canal N IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V

Transistor canal N IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V

Quantité
Prix unitaire
1-4
10.45€
5-9
9.09€
10-24
8.11€
25-49
7.31€
50+
6.04€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 26

Transistor canal N IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 92 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 4000pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXTP50N25T
29 paramètres
Id (T=25°C)
50A
Idss (maxi)
150uA
Résistance passante Rds On
92 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
300V
C (in)
4000pF
C (out)
420pF
Dissipation de puissance maxi
300W
Fonction
N-Channel Enhancement Mode
Id(imp)
130A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
97 ns
Td(on)
24 ns
Technologie
PolarHT Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
250 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
IXYS

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