Transistor canal N MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 100A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 535W. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: 60T65PES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Magnachip Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43