Transistor canal N IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5700pF. C (out): 750pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 360W. Id(imp): 128A. Idss (min): 200uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43