Transistor canal N MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1650pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 49.6W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Magnachip Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43