Transistor canal N IXTP90N055T, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V

Transistor canal N IXTP90N055T, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-9
4.00€
10-49
3.44€
50-99
3.15€
100+
2.91€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 38

Transistor canal N IXTP90N055T, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.066 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 176W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IXTP90N055T
30 paramètres
Ic(T=100°C)
75A
Id (T=25°C)
90A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.066 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
55V
C (in)
2500pF
C (out)
440pF
Dissipation de puissance maxi
176W
Fonction
N-Channel Enhancement Mode
Id(imp)
240A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
40 ns
Td(on)
19 ns
Technologie
TrenchMVTM Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
70 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
IXYS

Produits équivalents et/ou accessoires pour IXTP90N055T