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IXFK48N50

Transistor canal N IXFK48N50, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms, TO-264AA, 500V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. C (in): 8400pF. C (out): 900pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 8400pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 44A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Dissipation de puissance maxi: 500W. Dissipation maximale Ptot [W]: 500W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 192A. Idss (min): 400uA. Marquage du fabricant: IXFK48N50. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

35.84€

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IXFK64N50P

Transistor canal N IXFK64N50P, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264AA, 500V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. C (in): 7900pF. C (out): 790pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 9700pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 32A. Dissipation de puissance maxi: 830W. Dissipation maximale Ptot [W]: 830W. Délai de coupure tf[nsec.]: 85 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IXFK64N50P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 20V/ns. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V...

26.25€

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MMFTN138

Transistor canal N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Vdss (tension drain à source): 50V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.22A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: JD. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température de fonctionnement: 150°C. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Type de montage: SMD. Vgs(th) (Max) @ Id: -...

0.16€

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NTD3055L104G

Transistor canal N NTD3055L104G, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.089 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 316pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: niveau logique, ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: 55L104G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 55L104G. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.06€

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PHP9NQ20T

Transistor canal N PHP9NQ20T, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 8.7A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 88W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS SOT78. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.23€

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RFP50N06

Transistor canal N RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2020pF. C (out): 600pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2020pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Dissipation de puissance maxi: 131W. Dissipation maximale Ptot [W]: 131W. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: MegaFET. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: RFP50N06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.36€

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RFP70N06

Transistor canal N RFP70N06, TO-220, 60V, 52A, 70A, 25uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 52A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2250pF. C (out): 792pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2250pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 70A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: RFP70N06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Modèle PSPICE® à compensation de température. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.69€

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SI2308BDS-T1-GE3

Transistor canal N SI2308BDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L8. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

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SPP20N60S5

Transistor canal N SPP20N60S5, TO-220, 600V, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, 650V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3000pF. C (out): 1170pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13A. Dissipation de puissance maxi: 208W. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Délai de coupure tf[nsec.]: 210 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.5uA. Marquage du fabricant: 20N60S5. Marquage sur le boîtier: 20N60S5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 4.5V...

7.59€

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STP36NF06L

Transistor canal N STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: trr 55ns, dv/dt performant. Id(imp): 60.4k Ohms. Marquage du fabricant: P36NF06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.17€

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STP3NA60

Transistor canal N STP3NA60, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 2.9A. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.33€

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STP60NF06L

Transistor canal N STP60NF06L, TO-220, 60V, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2000pF. C (out): 360pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 60A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: faible charge de porte, VGS(th) 1...2.5V. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: P60NF06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte, VGS(th) 1...2.5V. Td(off): 55 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Température maxi: +175°C.. Température: +240°C. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 110us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

1.57€

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STW14NK50Z

Transistor canal N STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.38 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. Idss (min): 1mA. Marquage du fabricant: W14NK50Z. Marquage sur le boîtier: W14NK50Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.93€

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STW20NK50Z

Transistor canal N STW20NK50Z, TO-247, 500V, 12.6A, 20A, 50uA, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 328pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Courant de drain: 17A, 12.6A. Dissipation de puissance maxi: 190W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 68A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: W20NK50Z. Marquage sur le boîtier: W20NK50Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Protection ESD. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 190W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.09€

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VN0606MA

Transistor canal N VN0606MA, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. Id (T=25°C): 0.47A. Idss (maxi): 0.47A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 1W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

8.40€

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VNP10N07

Transistor canal N VNP10N07, TO-220, 70V, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, 70V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 70V. C (out): 350pF. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 900ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: MOSFET de puissance entièrement autoprotégé. IGF: 50mA. Id(imp): 14A. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: VNP10N07-E. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode zéner. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: limitation linéaire du courant. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +135°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

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VNP20N07

Transistor canal N VNP20N07, TO-220, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, 70V, TO-220AB, 70V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 20A. Boîtier (norme JEDEC): -. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 70V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ 10A. Dissipation de puissance maxi: 83W. Dissipation maximale Ptot [W]: 83W. Délai de coupure tf[nsec.]: 1200 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: VNP20N07-E. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Technologie: OMNIFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 180 ns. Température maxi: +135°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

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VNP35N07

Transistor canal N VNP35N07, TO-220, Limité en interne, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): Limité en interne. Idss (maxi): 200uA. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 70V. C (out): 980pF. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 1000 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 'Fully autoprotected driver switch'. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: VNP35N07. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: limitation linéaire du courant. Td(off): 650 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: OMNIFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Température maxi: +135°C.. Tension d'entrée Vin (max): 18V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Utilisation: Ilim= 35A IR= -50A...

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2PG001

Transistor canal N 2PG001, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220D-A1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 580pF. C (out): 86pF. Courant de collecteur: 30A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Pilote d'écran plasma. Ic(puls): 60.4k Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Td(off): 120ns. Td(on): 87 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N...

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2PG011

Transistor canal N 2PG011, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220D-A1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 540V. C (in): 1200pF. C (out): 125pF. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Ic(puls): 230A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Td(off): 200 ns. Td(on): 75 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N...

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2SK1117

Transistor canal N 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

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2SK1170

Transistor canal N 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

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2SK1213

Transistor canal N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V...

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2SK1217

Transistor canal N 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1400pF. C (out): 200pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

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