Transistor canal N VNP20N07, TO-220, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, 70V, TO-220AB, 70V
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Transistor canal N VNP20N07, TO-220, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, 70V, TO-220AB, 70V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 20A. Boîtier (norme JEDEC): -. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 70V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ 10A. Dissipation de puissance maxi: 83W. Dissipation maximale Ptot [W]: 83W. Délai de coupure tf[nsec.]: 1200 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: VNP20N07-E. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Technologie: OMNIFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 180 ns. Température maxi: +135°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51