Transistor canal N VNP35N07, TO-220, Limité en interne, 200uA, 70V, 0.028 Ohms, TO-220AB, 70V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): Limité en interne. Idss (maxi): 200uA. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 70V. C (out): 980pF. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 1000 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 'Fully autoprotected driver switch'. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: VNP35N07. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: limitation linéaire du courant. Td(off): 650 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: OMNIFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Température maxi: +135°C.. Tension d'entrée Vin (max): 18V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Utilisation: Ilim= 35A IR= -50A. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51