Transistor canal N VNP10N07, TO-220, 70V, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, 70V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 70V. C (out): 350pF. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 900ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: MOSFET de puissance entièrement autoprotégé. IGF: 50mA. Id(imp): 14A. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: VNP10N07-E. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode zéner. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: limitation linéaire du courant. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +135°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51