Transistor canal N STW20NK50Z, TO-247, 500V, 12.6A, 20A, 50uA, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 328pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Courant de drain: 17A, 12.6A. Dissipation de puissance maxi: 190W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 68A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: W20NK50Z. Marquage sur le boîtier: W20NK50Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Protection ESD. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 190W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58