Transistor canal N SPP20N60S5, TO-220, 600V, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, 650V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3000pF. C (out): 1170pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13A. Dissipation de puissance maxi: 208W. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Délai de coupure tf[nsec.]: 210 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.5uA. Marquage du fabricant: 20N60S5. Marquage sur le boîtier: 20N60S5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 4.5V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33