Recherche de produit: transistor j107 - RPtronics. Page 17 sur 42

HUF75645P3

Transistor canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.53€

Quantité en stock: 48

HUF75645S3S

Transistor canal N HUF75645S3S, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AB ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.41€

Quantité en stock: 611

HUF76121D3S

Transistor canal N HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 850pF. C (out): 465pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 76121D. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 58 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.58€

Quantité en stock: 95

HUF76145P3

Transistor canal N HUF76145P3, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Délai de coupure tf[nsec.]: 135 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: HUF76145P3. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 110 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.36€

Quantité en stock: 2

IGCM15F60GA

Transistor canal N IGCM15F60GA, autre, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 15A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 29W. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Fréquence: 20kHz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 24. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. RoHS: oui. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Td(off): 750 ns. Td(on): 600 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de canal: N...

30.43€

Quantité en stock: 10

IGCM20F60GA

Transistor canal N IGCM20F60GA, autre, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 20A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 29W. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Fréquence: 20kHz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 24. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. RoHS: oui. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Td(off): 650 ns. Td(on): 970 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de canal: N...

41.03€

Quantité en stock: 5

IGW75N60H3

Transistor canal N IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4620pF. C (out): 240pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 140A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 428W. Délai de livraison: KB. Fonction: VCEsat très faible. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: G75H603. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

14.31€

Quantité en stock: 26

IHW15N120R3

Transistor canal N IHW15N120R3, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1165pF. C (out): 40pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 30A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 254W. Fonction: Cuisson par induction. Ic(puls): 45A. Marquage sur le boîtier: H15R1203. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(off): 300 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.48V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

6.46€

Quantité en stock: 20

IHW20N120R5

Transistor canal N IHW20N120R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1340pF. C (out): 43pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 288W. Fonction: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20MR5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Td(off): 350 ns. Td(on): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.75V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

6.12€

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IHW20N135R3

Transistor canal N IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1500pF. C (out): 55pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: Inductive?cooking. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20R1353. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

6.16€

Quantité en stock: 15

IHW20N135R5

Transistor canal N IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1360pF. C (out): 43pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 288W. Fonction: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20PR5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

6.53€

Quantité en stock: 11

IHW20T120

Transistor canal N IHW20T120, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1460pF. C (out): 78pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 178W. Fonction: Soft Switching Applications. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20T120. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

8.97€

Quantité en stock: 126

IHW30N120R2

Transistor canal N IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2589pF. C (out): 77pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 390W. Fonction: Cuisson par induction, applications de commutation. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: H30R1202. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(off): 792 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

9.23€

Quantité en stock: 13

IHW30N135R5XKSA1

Transistor canal N IHW30N135R5XKSA1, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1810pF. C (out): 50pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: cuisson par induction, fours à micro-ondes. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: H30PR5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(off): 310 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

7.73€

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Quantité en stock: 24

IKCM15F60GA

Transistor canal N IKCM15F60GA, autre, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 15A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 27.4W. Equivalences: Samsung--DC13-00253A. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Fréquence: 20kHz. Ic(puls): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 24. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. RoHS: oui. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. Td(off): 800 ns. Td(on): 560 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.05V. Type de canal: N...

22.36€

Quantité en stock: 5

IKP15N60T

Transistor canal N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 860pF. C (out): 55pF. Courant de collecteur: 15A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 130W. Fonction: IGBT haute vitesse en technologie NPT. Ic(puls): 45A. Marquage sur le boîtier: K15T60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

3.98€

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IKW25T120

Transistor canal N IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1860pF. C (out): 96pF. Courant de collecteur: 50A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Ic(puls): 75A. Marquage sur le boîtier: K25T120. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N...

12.12€

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IKW30N60H3

Transistor canal N IKW30N60H3, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1630pF. C (out): 107pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 187W. Fonction: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Ic(puls): 60.4k Ohms. Marquage sur le boîtier: K30H603. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Td(off): 207 ns. Td(on): 21 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 117 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

8.68€

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IKW40N120H3

Transistor canal N IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247N. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2330pF. C (out): 185pF. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Diode intégrée: oui. Dissipation de puissance maxi: 483W. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: K40H1203. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Puissance: 483W. RoHS: oui. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension collecteur – émetteur: 1200V. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: transistor IGBT...

16.80€

Quantité en stock: 104

IKW50N60H3

Transistor canal N IKW50N60H3, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 116pF. C (out): 2960pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 100A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 333W. Fonction: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Ic(puls): 200A. Marquage sur le boîtier: K50H603. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension de seuil de la diode: 1.65V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

9.45€

Quantité en stock: 146

IKW50N60T

Transistor canal N IKW50N60T, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 3140pF. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 333W. Fonction: VCEsat très faible. Ic(puls): 150A. Marquage sur le boîtier: K50T60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Td(off): 299 ns. Td(on): 26 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 143 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

9.85€

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IKW75N60T

Transistor canal N IKW75N60T, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4620pF. C (out): 288pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 428W. Fonction: VCEsat très faible. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: K75T60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 182 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

13.16€

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IPA60R600E6

Transistor canal N IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 650V. C (in): 440pF. C (out): 30pF. Dissipation de puissance maxi: 28W. Fonction: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 6R600E6. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). RoHS: oui. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

3.07€

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IPA80R1K0CEXKSA2

Transistor canal N IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.83 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 800V. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 8R1K0CE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). RoHS: oui. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V...

2.60€

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