Transistor canal N IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1500pF. C (out): 55pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: Inductive?cooking. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20R1353. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45