Transistor canal N IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.83 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. Tension Vds(max): 800V. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 8R1K0CE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier complètement isolé (2500VAC/60s). RoHS: oui. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45