Transistor canal N IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V
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Transistor canal N IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2589pF. C (out): 77pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 390W. Fonction: Cuisson par induction, applications de commutation. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: H30R1202. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(off): 792 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45