Transistor canal N IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V

Transistor canal N IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V

Quantité
Prix unitaire
1-4
6.44€
5-14
5.53€
15-29
5.06€
30-59
4.69€
60+
4.17€
Quantité en stock: 17

Transistor canal N IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1360pF. C (out): 43pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 288W. Fonction: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Ic(puls): 60A. Marquage sur le boîtier: H20PR5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

IHW20N135R5
30 paramètres
Ic(T=100°C)
20A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
PG-TO247-3
Tension collecteur/émetteur Vceo
1350V
C (in)
1360pF
C (out)
43pF
Conditionnement
tube en plastique
Courant de collecteur
40A
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
288W
Fonction
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Ic(puls)
60A
Marquage sur le boîtier
H20PR5
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Spec info
Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed)
Td(off)
235 ns
Technologie
TRENCHSTOP TM technology
Température de fonctionnement
-40...+175°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.65V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1.85V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
5.1V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
6.4V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Trr Diode (Min.)
50 ns
Type de canal
N
Unité de conditionnement
30
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies