Transistor canal N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V

Transistor canal N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.93€
5-24
3.40€
25-49
3.06€
50-99
2.84€
100+
2.52€
Quantité en stock: 89

Transistor canal N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 860pF. C (out): 55pF. Courant de collecteur: 15A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 130W. Fonction: IGBT haute vitesse en technologie NPT. Ic(puls): 45A. Marquage sur le boîtier: K15T60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IKP15N60T
26 paramètres
Ic(T=100°C)
15A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220-3-1
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
C (in)
860pF
C (out)
55pF
Courant de collecteur
15A
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
130W
Fonction
IGBT haute vitesse en technologie NPT
Ic(puls)
45A
Marquage sur le boîtier
K15T60
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Td(off)
188 ns
Td(on)
17 ns
Température de fonctionnement
-40...+175°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.5V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2.05V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
4.1V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
5.7V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies