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BUK9575-55A

Transistor canal N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT-78 ( TO220AB ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 440pF. C (out): 90pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: automobile, commutation de puissance, moteur 12 V et 24 V. Id(imp): 81A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

BUZ11

Transistor canal N BUZ11, TO-220, 50V, 0.03 Ohms, 50V, 19A, 30A, 100uA, TO-220AC, 50V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 50V. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 50V. C (in): 1500pF. C (out): 750pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain maxi: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 20uA. Marquage du fabricant: BUZ11. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

BUZ12

Transistor canal N BUZ12, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 42A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ14

Transistor canal N BUZ14, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 39A. Idss (maxi): 39A. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 250/500ns. Technologie: V-MOS S/L. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ53A

Transistor canal N BUZ53A, 2.6A, 2.6A, 1000V. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 2.6A. Tension Vds(max): 1000V. Dissipation de puissance maxi: 78W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS L. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ74

Transistor canal N BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V. Boîtier: TO-220AB. Id (T=100°C): 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Tension Vds(max): 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 675pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: transistor MOSFET N. Marquage du fabricant: BUZ74. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Technologie: V-MOS. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ76

BUZ77A

BUZ80AF

BUZ83

Transistor canal N BUZ83, 3.2A, 3.2A, 800V. Id (T=25°C): 3.2A. Idss (maxi): 3.2A. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 78W. Fonction: V-MOS. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ90

Transistor canal N BUZ90, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 4.5A. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ91A

Transistor canal N BUZ91A, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ91A-INF

Transistor canal N BUZ91A-INF, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

FDD5690

Transistor canal N FDD5690, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 9A, 30A, 1uA, 0.023 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1110pF. C (out): 150pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1110pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: DC/DC Converter, Low gate charge (23nC). Id(imp): 100A. Marquage du fabricant: FDD5690. Marquage sur le boîtier: FDD5690. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

FDV301N

Transistor canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Boîtier: SOT23. Vdss (tension drain à source): 25V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Capacité de grille Ciss [pF]: 9.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.22A. Information: -. Marquage du fabricant: 301. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 301. Tension grille/source Vgs (Max): 8V. Type de montage: SMD...

FQA13N80-F109

Transistor canal N FQA13N80-F109, TO-3PN ( 2-16C1B ), 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms, TO-3PN, 800V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2700pF. C (out): 275pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 320 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Id(imp): 50.4A. Idss (min): 10uA. Marquage du fabricant: FQA13N80. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

FQAF11N90C

Transistor canal N FQAF11N90C, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 900V, 4.4A, 7A, 100uA, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.91 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2530pF. C (out): 215pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 28A. Idss (min): 10uA. Marquage du fabricant: FQAF11N90C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

FQP12N60C

Transistor canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1760pF. C (out): 182pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 225W. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 280 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP12N60C. Marquage sur le boîtier: FQP12N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 70 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

FQP50N06

Transistor canal N FQP50N06, TO-220, 60V, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 35.4A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1180pF. C (out): 440pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1540pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP50N06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

FQP50N06L

Transistor canal N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 37.1A. Id (T=25°C): 52.4A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1250pF. C (out): 445pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1630pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 52.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Dissipation de puissance maxi: 121W. Dissipation maximale Ptot [W]: 121W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 210A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP50N06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Niveau logique. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 65 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

FQPF8N60C

Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 965pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1255pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 12pF. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQPF8N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 45 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 365ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

IRF1405PBF

Transistor canal N IRF1405PBF, TO-220, 55V, 0.0053 Ohms, 55V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.0053 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5480pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 169A. Courant de drain maxi: 169A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Dissipation maximale Ptot [W]: 330W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF1405PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 150W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRF2807PBF

Transistor canal N IRF2807PBF, TO-220., 75V, 0.013 Ohms, 75V. Boîtier: TO-220.. Tension drain - source (Vds): 75V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 82A. Courant de drain maxi: 82A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF2807PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 200W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRF3205PBF

Transistor canal N IRF3205PBF, TO220AB, 55V, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Charge: 97.3nC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Courant de drain: 110A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 110A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF3205PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 150W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...