Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V

Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.20€
5-24
1.90€
25-49
1.71€
50-99
1.54€
100+
1.27€
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Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 965pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1255pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 12pF. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQPF8N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 45 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 365ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:37

Documentation technique (PDF)
FQPF8N60C
42 paramètres
Boîtier
TO-220FP
Tension drain-source Uds [V]
600V
Id (T=100°C)
4.6A
Id (T=25°C)
7.5A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
1 Ohm
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
600V
C (in)
965pF
C (out)
105pF
Capacité de grille Ciss [pF]
1255pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
7.6A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.2 Ohms @ 3.75A
Dissipation de puissance maxi
48W
Dissipation maximale Ptot [W]
48W
Délai de coupure tf[nsec.]
170 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Fonction
Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 12pF
Id(imp)
30A
Idss (min)
1uA
Marquage du fabricant
FQPF8N60C
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
81 ns
Td(on)
16.5 ns
Technologie
DMOS, QFET
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
45 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
365ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild

Produits équivalents et/ou accessoires pour FQPF8N60C