Transistor canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V
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Transistor canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1760pF. C (out): 182pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 225W. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 280 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP12N60C. Marquage sur le boîtier: FQP12N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 70 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19