Transistor canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V

Transistor canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.63€
5-24
4.40€
25-49
4.23€
50-99
4.02€
100+
3.73€
Quantité en stock: 23

Transistor canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1760pF. C (out): 182pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 225W. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 280 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP12N60C. Marquage sur le boîtier: FQP12N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 70 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FQP12N60C
44 paramètres
Boîtier
TO-220
Tension drain-source Uds [V]
600V
Id (T=100°C)
7.4A
Id (T=25°C)
12A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.53 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
600V
C (in)
1760pF
C (out)
182pF
Capacité de grille Ciss [pF]
2290pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
12A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.65 Ohms @ 6A
Dissipation de puissance maxi
225W
Dissipation maximale Ptot [W]
225W
Délai de coupure tf[nsec.]
280 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
48A
Idss (min)
1uA
Marquage du fabricant
FQP12N60C
Marquage sur le boîtier
FQP12N60C
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
140 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
DMOS, QFET
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
70 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
420 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild