Transistor canal N FQP50N06, TO-220, 60V, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 35.4A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1180pF. C (out): 440pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1540pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP50N06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45