Transistor canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V

Transistor canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V

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Transistor canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Boîtier: SOT23. Vdss (tension drain à source): 25V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Capacité de grille Ciss [pF]: 9.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.22A. Information: -. Marquage du fabricant: 301. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 301. Tension grille/source Vgs (Max): 8V. Type de montage: SMD. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36

Documentation technique (PDF)
FDV301N
23 paramètres
Boîtier
SOT23
Vdss (tension drain à source)
25V
Tension drain-source Uds [V]
25V
Capacité de grille Ciss [pF]
9.5pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.22A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
4 Ohms @ 0.2A
Dissipation de puissance maxi
0.35W
Dissipation maximale Ptot [W]
0.35W
Délai de coupure tf[nsec.]
8 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
0.22A
Marquage du fabricant
301
Nombre de bornes
3
Polarité
MOSFET N
RoHS
oui
Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 Ohms / 0.2A / 2.7V
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
301
Tension grille/source Vgs (Max)
8V
Type de montage
SMD
Produit d'origine constructeur
Onsemi (fairchild)