Transistor canal N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V

Transistor canal N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.85€
5-24
1.58€
25-49
1.38€
50-99
1.23€
100+
1.04€
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Transistor canal N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 37.1A. Id (T=25°C): 52.4A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1250pF. C (out): 445pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1630pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 52.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Dissipation de puissance maxi: 121W. Dissipation maximale Ptot [W]: 121W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 210A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP50N06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Niveau logique. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 65 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FQP50N06L
44 paramètres
Boîtier
TO-220
Tension drain-source Uds [V]
60V
Id (T=100°C)
37.1A
Id (T=25°C)
52.4A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.017 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
60V
C (in)
1250pF
C (out)
445pF
Capacité de grille Ciss [pF]
1630pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
52.4A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.025 Ohms @ 26.2A
Dissipation de puissance maxi
121W
Dissipation maximale Ptot [W]
121W
Délai de coupure tf[nsec.]
170 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
210A
Idss (min)
1uA
Marquage du fabricant
FQP50N06L
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Niveau logique
Td(off)
80 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
DMOS, QFET, LOGIC N-Ch
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
50 ns
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2.5V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
65 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Fairchild