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FQD30N06L

Transistor canal N FQD30N06L, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.031 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 44W. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 30N06L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

1.54€

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FQD7N10L

Transistor canal N FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. Id (T=100°C): 3.67A. Id (T=25°C): 23.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.258 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 220pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Faible charge de grille. Id(imp): 5.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FQD7N10L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.92€

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FQP12N60C

Transistor canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1760pF. C (out): 182pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 225W. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 280 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP12N60C. Marquage sur le boîtier: FQP12N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 70 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.69€

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FQP13N10

Transistor canal N FQP13N10, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 9.05A. Id (T=25°C): 12.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 345pF. C (out): 100pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Id(imp): 51.2A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 2.07g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 72 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.15€

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FQP13N50

Transistor canal N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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FQP13N50C

Transistor canal N FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 195W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (43nC typique). Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

6.39€

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FQP19N10

Transistor canal N FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 13.5A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 600pF. C (out): 165pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 78 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.63€

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FQP19N20C

Transistor canal N FQP19N20C, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 19A. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 139W. Fonction: Commutation rapide, td(on)15ns, td(off)135ns. Id(imp): 76A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.32€

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FQP33N10

Transistor canal N FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1150pF. C (out): 320pF. Dissipation de puissance maxi: 127W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.55€

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FQP44N10

Transistor canal N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 30.8A. Id (T=25°C): 43.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 425pF. Dissipation de puissance maxi: 146W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 174A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.05€

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FQP46N15

Transistor canal N FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. Id (T=100°C): 32.2A. Id (T=25°C): 45.6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.033 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2500pF. C (out): 520pF. Dissipation de puissance maxi: 210W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 182A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 210 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.95€

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FQP50N06

Transistor canal N FQP50N06, TO-220, 60V, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 35.4A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1180pF. C (out): 440pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1540pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP50N06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.49€

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FQP50N06L

Transistor canal N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 37.1A. Id (T=25°C): 52.4A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1250pF. C (out): 445pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1630pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 52.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Dissipation de puissance maxi: 121W. Dissipation maximale Ptot [W]: 121W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 210A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP50N06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Niveau logique. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 65 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

1.88€

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FQP5N60C

Transistor canal N FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'enhancement mode power field effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.50€

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FQP7N80

Transistor canal N FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1420pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.55€

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FQP7N80C

Transistor canal N FQP7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 27nC, faible Crss 10pF. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

2.49€

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FQP85N06

Transistor canal N FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FQP9N90C

Transistor canal N FQP9N90C, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. Dissipation de puissance maxi: 205W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 45nC, faible Crss 14pF. Id(imp): 32A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: DMOS, QFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.77€

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FQPF10N20C

Transistor canal N FQPF10N20C, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 9.5A. Résistance passante Rds On: 0.36 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 20nC, faible Crss 40.5pF. Id(imp): 38A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: DMOS, QFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.47€

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FQPF11N50CF

Transistor canal N FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1515pF. C (out): 185pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 43nC, faible Crss 20pF. Id(imp): 44A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 120ns. Td(on): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.58€

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FQPF19N20

Transistor canal N FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 11.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1220pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.45€

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FQPF19N20C

Transistor canal N FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Dissipation de puissance maxi: 43W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

2.53€

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FQPF20N06L

Transistor canal N FQPF20N06L, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 11.1A. Id (T=25°C): 15.7A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Id(imp): 62.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V...

1.84€

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FQPF3N80C

Transistor canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 543pF. C (out): 54pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 13nC, faible Crss 5.5pF. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 642 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.97€

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