Transistor canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Transistor canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.95€
5-24
1.69€
25-49
1.49€
50-99
1.33€
100+
1.13€
Quantité en stock: 64

Transistor canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 543pF. C (out): 54pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 13nC, faible Crss 5.5pF. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 642 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
FQPF3N80C
30 paramètres
Id (T=100°C)
1.9A
Id (T=25°C)
3A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
4 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
800V
C (in)
543pF
C (out)
54pF
Dissipation de puissance maxi
39W
Fonction
Commutation rapide, faible charge de grille 13nC, faible Crss 5.5pF
Id(imp)
12A
Idss (min)
10uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
22.5 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
DMOS, QFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
642 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Fairchild