Transistor canal N FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Transistor canal N FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.49€
5-24
4.18€
25-49
3.94€
50+
3.75€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 104

Transistor canal N FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1420pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
FQP7N80
30 paramètres
Id (T=100°C)
4.2A
Id (T=25°C)
6.6A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
1.2 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
800V
C (in)
1420pF
C (out)
150pF
Dissipation de puissance maxi
167W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
26.4A
Idss (min)
10uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
95 ns
Td(on)
35 ns
Technologie
DMOS, QFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
400 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Fairchild

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