Transistor canal N FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1150pF. C (out): 320pF. Dissipation de puissance maxi: 127W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19