Transistor canal N FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor canal N FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.61€
5-24
1.33€
25-49
1.12€
50+
1.02€
Quantité en stock: 20

Transistor canal N FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 13.5A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 600pF. C (out): 165pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 78 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FQP19N10
32 paramètres
Id (T=100°C)
13.5A
Id (T=25°C)
19A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.078 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
100V
C (in)
600pF
C (out)
165pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
75W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
76A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
20 ns
Td(on)
7.5 ns
Technologie
DMOS, QFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
25V
Trr Diode (Min.)
78 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild