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Transistor IRF9530

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Transistor IRF9530. Transistor. C (in): 860pF. C (out): 340pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 88W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.

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Transistor. C (in): 760pF. C (out): 260pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
IRF9530N
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