Transistor IRL530N

Transistor IRL530N. Transistor. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.