Transistor 2SB649A

Transistor 2SB649A. Transistor. C (out): 27pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD669A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.