Transistor canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435

Transistor canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435. Transistor canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1604pF. C (out): 408pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 13 ns. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 21:25.