Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 0.0026 Ohms, TO-220AB, 40V. Résistance passante Rds On: 0.0026 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 40V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 123A/120A. Puissance: 99W

Transistor canal N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: commutation rapide. Protection G-S: non

Transistor canal N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 8.5A. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 650V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Dissipation de puissance maxi: 167W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, 4.4 Ohms, TO-220, 600V. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 600V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 2.2A. Puissance: 50W

Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 74W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 600V, 6.2A, 1.2 Ohms, TO-220, 600V. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 600V. Marquage du fabricant: IRFBC40PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 6.2A. Puissance: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 16A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 4.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBE30PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 82 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 900V. C (in): 490pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 54W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 900V, 3.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBF30PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 980pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 89 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBG30PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 89 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 980pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 310pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: FET. Fonction: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(imp): 14A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.2, DIP-4, 60V. Résistance passante Rds On: 0.2. Boîtier: DIP-4. Tension drain - source (Vds): 60V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 1.7A

Transistor canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 640pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 88 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 60V, 2.5A, 60V, DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier: DIP4. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 2.5A. Tension grille/source Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Max: 1.3W. Type de montage: THT

Transistor canal N, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=100°C): 0.71A. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Boîtier (norme JEDEC): DIP-4. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=100°C): 0.94A. Id (T=25°C): 1.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 100V, 1.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD120PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF

Transistor canal N, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=100°C): 0.94A. Id (T=25°C): 1.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 4.8A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. RoHS: oui. C (in): 22pF. C (out): 53pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 6.4A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non